1064nm Si പിൻ ഫോട്ടോഡയോഡ്

മോഡൽ: GT102Ф0.2/ GT102Ф0.5/ GT102Ф1/ GT102Ф2/ GT102Ф4/ GD3310Y/ GD3217Y

ഹൃസ്വ വിവരണം:

റിവേഴ്സ് ബയസിന് കീഴിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്ന Si PIN ഫോട്ടോഡയോഡാണ് ഇത് UV മുതൽ NIR വരെ ഉയർന്ന സംവേദനക്ഷമത നൽകുന്നു.ഏറ്റവും ഉയർന്ന പ്രതികരണ തരംഗദൈർഘ്യം 980nm ആണ്.പ്രതികരണശേഷി: 1064 nm-ൽ 0.3A/W.

ഉദ്ധരണി നേടുക ഡൗൺലോഡ്

സാങ്കേതിക പാരാമീറ്റർ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

സവിശേഷതകൾ

മുൻവശം പ്രകാശമുള്ള ഘടന
കുറഞ്ഞ ഇരുണ്ട കറന്റ്
ഉയർന്ന പ്രതികരണം
ഉയർന്ന വിശ്വാസ്യത

അപേക്ഷകൾ

ഒപ്റ്റിക്കൽ ഫൈബർ ആശയവിനിമയം, സെൻസിംഗും ശ്രേണിയും
UV മുതൽ NIR വരെയുള്ള ഒപ്റ്റിക്കൽ ഡിറ്റക്ഷൻ
വേഗത്തിലുള്ള ഒപ്റ്റിക്കൽ-പൾസ് കണ്ടെത്തൽ
വ്യവസായത്തിനുള്ള നിയന്ത്രണ സംവിധാനങ്ങൾ

ഫോട്ടോ ഇലക്ട്രിക് പാരാമീറ്റർ (@Ta=25℃)

ഇനം #	പാക്കേജ് വിഭാഗം	ഫോട്ടോസെൻസിറ്റീവ് ഉപരിതലത്തിന്റെ വ്യാസം (മില്ലീമീറ്റർ)	സ്പെക്ട്രൽ പ്രതികരണ ശ്രേണി (എൻഎം)	പീക്ക് പ്രതികരണ തരംഗദൈർഘ്യം (എൻഎം)	പ്രതികരണശേഷി(A/W) λ=1064nm	ഉയരുന്ന സമയം λ=1064nm V_R=40V R_L=50Ω(ns)	ഇരുണ്ട കറന്റ് V_R=40V (nA)	ജംഗ്ഷൻ കപ്പാസിറ്റൻസ് വി_R=40V f=1MHz (pF)	ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ് (വി)
GT102Ф0.2	ഏകപക്ഷീയ തരം II,5501,TO-46 പ്ലഗ് തരം	Ф0.2	4～1100	980	0.3	10	0.5	0.5	100
GT102Ф0.5		Ф0.5				10	1.0	0.8
GT102F1		Ф1.0				12	2.0	2.0
GT102F2	TO-5	Ф2.0				12	3.0	5.0
GT102F4	TO-8	Ф4.0				20	5.0	12.0
GD3310Y	TO-8	Ф8.0				30	15	50
GD3217Y	TO-20	Ф10.0				50	20	70