ഡിറ്റക്ടർ ഫാക്ടറി, വിതരണക്കാർ - ചൈന ഡിറ്റക്ടർ നിർമ്മാതാക്കൾ

355nm APD

വലിയ ഫോട്ടോസെൻസിറ്റീവ് പ്രതലവും മെച്ചപ്പെടുത്തിയ യുവിയുമുള്ള Si അവലാഞ്ച് ഫോട്ടോഡയോഡാണിത്.UV മുതൽ NIR വരെയുള്ള ഉയർന്ന സംവേദനക്ഷമത ഇത് നൽകുന്നു.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
800nm APD

UV മുതൽ NIR വരെയുള്ള ഉയർന്ന സംവേദനക്ഷമത നൽകുന്ന Si അവലാഞ്ച് ഫോട്ടോഡയോഡാണ് ഇത്.ഏറ്റവും ഉയർന്ന പ്രതികരണ തരംഗദൈർഘ്യം 800nm ആണ്.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
905nm APD

UV മുതൽ NIR വരെയുള്ള ഉയർന്ന സംവേദനക്ഷമത നൽകുന്ന Si അവലാഞ്ച് ഫോട്ടോഡയോഡാണ് ഇത്.ഏറ്റവും ഉയർന്ന പ്രതികരണ തരംഗദൈർഘ്യം 905nm ആണ്.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
1064nm APD

UV മുതൽ NIR വരെയുള്ള ഉയർന്ന സംവേദനക്ഷമത നൽകുന്ന Si അവലാഞ്ച് ഫോട്ടോഡയോഡാണ് ഇത്.ഏറ്റവും ഉയർന്ന പ്രതികരണ തരംഗദൈർഘ്യം 1064nm ആണ്.പ്രതികരണശേഷി: 1064 nm-ൽ 36 A/W.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
1064nm APD മൊഡ്യൂളുകൾ

ഫോട്ടോൺ-ഫോട്ടോ ഇലക്ട്രിക്-സിഗ്നൽ ആംപ്ലിഫിക്കേഷന്റെ പരിവർത്തന പ്രക്രിയ കൈവരിക്കുന്നതിന് ദുർബലമായ കറന്റ് സിഗ്നൽ വർദ്ധിപ്പിക്കാനും വോൾട്ടേജ് സിഗ്നലായി പരിവർത്തനം ചെയ്യാനും പ്രാപ്തമാക്കുന്ന പ്രീ-ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ട് ഉള്ള എസ്ഐ അവലാഞ്ച് ഫോട്ടോഡയോഡ് മൊഡ്യൂൾ ഇത് മെച്ചപ്പെടുത്തിയിരിക്കുന്നു.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
InGaAs APD മൊഡ്യൂളുകൾ

പ്രി-ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ട് ഉള്ള ഇൻഡിയം ഗാലിയം ആർസെനൈഡ് അവലാഞ്ച് ഫോട്ടോഡയോഡ് മൊഡ്യൂളാണ്, ഇത് ദുർബലമായ നിലവിലെ സിഗ്നലിനെ വർദ്ധിപ്പിക്കാനും ഫോട്ടോൺ-ഫോട്ടോ ഇലക്ട്രിക്-സിഗ്നൽ ആംപ്ലിഫിക്കേഷന്റെ പരിവർത്തന പ്രക്രിയ കൈവരിക്കുന്നതിന് വോൾട്ടേജ് സിഗ്നലായി പരിവർത്തനം ചെയ്യാനും സഹായിക്കുന്നു.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
നാല് ക്വാഡ്രന്റ് APD

UV മുതൽ NIR വരെയുള്ള ഉയർന്ന സംവേദനക്ഷമത പ്രദാനം ചെയ്യുന്ന Si അവലാഞ്ച് ഫോട്ടോഡയോഡിന്റെ നാല് സമാന യൂണിറ്റുകൾ ഇതിൽ അടങ്ങിയിരിക്കുന്നു.ഏറ്റവും ഉയർന്ന പ്രതികരണ തരംഗദൈർഘ്യം 980nm ആണ്.പ്രതികരണശേഷി: 1064 nm-ൽ 40 A/W.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
നാല് ക്വാഡ്രന്റ് APD മൊഡ്യൂളുകൾ

ഫോട്ടോൺ-ഫോട്ടോ ഇലക്ട്രിക്-സിഗ്നൽ ആംപ്ലിഫിക്കേഷന്റെ പരിവർത്തന പ്രക്രിയ കൈവരിക്കുന്നതിന് ദുർബലമായ നിലവിലെ സിഗ്നലിനെ വർദ്ധിപ്പിക്കാനും വോൾട്ടേജ് സിഗ്നലായി പരിവർത്തനം ചെയ്യാനും പ്രാപ്തമാക്കുന്ന പ്രീ-ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ട് ഉള്ള Si അവലാഞ്ച് ഫോട്ടോഡയോഡിന്റെ നാല് സമാന യൂണിറ്റുകൾ ഇതിൽ അടങ്ങിയിരിക്കുന്നു.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
850nm Si പിൻ മൊഡ്യൂളുകൾ

ഇത് 850nm Si PIN ഫോട്ടോഡയോഡ് മൊഡ്യൂൾ പ്രീ-ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ടോടുകൂടിയതാണ്, ഇത് ദുർബലമായ നിലവിലെ സിഗ്നലിനെ ആംപ്ലിഫൈ ചെയ്യാനും ഫോട്ടോൺ-ഫോട്ടോ ഇലക്ട്രിക്-സിഗ്നൽ ആംപ്ലിഫിക്കേഷന്റെ പരിവർത്തന പ്രക്രിയ കൈവരിക്കുന്നതിന് വോൾട്ടേജ് സിഗ്നലിലേക്ക് പരിവർത്തനം ചെയ്യാനും സഹായിക്കുന്നു.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
900nm Si പിൻ ഫോട്ടോഡയോഡ്

റിവേഴ്സ് ബയസിന് കീഴിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്ന Si PIN ഫോട്ടോഡയോഡാണ് ഇത് UV മുതൽ NIR വരെ ഉയർന്ന സംവേദനക്ഷമത നൽകുന്നു.ഏറ്റവും ഉയർന്ന പ്രതികരണ തരംഗദൈർഘ്യം 930nm ആണ്.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
1064nm Si പിൻ ഫോട്ടോഡയോഡ്

റിവേഴ്സ് ബയസിന് കീഴിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്ന Si PIN ഫോട്ടോഡയോഡാണ് ഇത് UV മുതൽ NIR വരെ ഉയർന്ന സംവേദനക്ഷമത നൽകുന്നു.ഏറ്റവും ഉയർന്ന പ്രതികരണ തരംഗദൈർഘ്യം 980nm ആണ്.പ്രതികരണശേഷി: 1064 nm-ൽ 0.3A/W.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
ഫൈബർ എസ്ഐ പിൻ മൊഡ്യൂളുകൾ

ഒപ്റ്റിക്കൽ ഫൈബർ ഇൻപുട്ട് ചെയ്യുന്നതിലൂടെ ഒപ്റ്റിക്കൽ സിഗ്നലിനെ നിലവിലെ സിഗ്നലായി മാറ്റുന്നു.ഫോട്ടോൺ-ഫോട്ടോഇലക്‌ട്രിക്-സിഗ്നൽ ആംപ്ലിഫിക്കേഷന്റെ പരിവർത്തന പ്രക്രിയ കൈവരിക്കുന്നതിന് ദുർബലമായ കറന്റ് സിഗ്നലിനെ ആംപ്ലിഫൈ ചെയ്യാനും വോൾട്ടേജ് സിഗ്നലിലേക്ക് പരിവർത്തനം ചെയ്യാനും പ്രാപ്തമാക്കുന്ന പ്രീ-ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ട് ഉള്ളതാണ് Si പിൻ മൊഡ്യൂൾ.

അന്വേഷണം വിശദാംശം