ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ ഫാക്ടറി, വിതരണക്കാർ - ചൈന ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ നിർമ്മാതാക്കൾ

InGaAs APD മൊഡ്യൂളുകൾ

പ്രി-ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ട് ഉള്ള ഇൻഡിയം ഗാലിയം ആർസെനൈഡ് അവലാഞ്ച് ഫോട്ടോഡയോഡ് മൊഡ്യൂളാണ്, ഇത് ദുർബലമായ നിലവിലെ സിഗ്നലിനെ വർദ്ധിപ്പിക്കാനും ഫോട്ടോൺ-ഫോട്ടോ ഇലക്ട്രിക്-സിഗ്നൽ ആംപ്ലിഫിക്കേഷന്റെ പരിവർത്തന പ്രക്രിയ കൈവരിക്കുന്നതിന് വോൾട്ടേജ് സിഗ്നലായി പരിവർത്തനം ചെയ്യാനും സഹായിക്കുന്നു.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
നാല് ക്വാഡ്രന്റ് APD

UV മുതൽ NIR വരെയുള്ള ഉയർന്ന സംവേദനക്ഷമത പ്രദാനം ചെയ്യുന്ന Si അവലാഞ്ച് ഫോട്ടോഡയോഡിന്റെ നാല് സമാന യൂണിറ്റുകൾ ഇതിൽ അടങ്ങിയിരിക്കുന്നു.ഏറ്റവും ഉയർന്ന പ്രതികരണ തരംഗദൈർഘ്യം 980nm ആണ്.പ്രതികരണശേഷി: 1064 nm-ൽ 40 A/W.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
നാല് ക്വാഡ്രന്റ് APD മൊഡ്യൂളുകൾ

ഫോട്ടോൺ-ഫോട്ടോ ഇലക്ട്രിക്-സിഗ്നൽ ആംപ്ലിഫിക്കേഷന്റെ പരിവർത്തന പ്രക്രിയ കൈവരിക്കുന്നതിന് ദുർബലമായ നിലവിലെ സിഗ്നലിനെ വർദ്ധിപ്പിക്കാനും വോൾട്ടേജ് സിഗ്നലായി പരിവർത്തനം ചെയ്യാനും പ്രാപ്തമാക്കുന്ന പ്രീ-ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ട് ഉള്ള Si അവലാഞ്ച് ഫോട്ടോഡയോഡിന്റെ നാല് സമാന യൂണിറ്റുകൾ ഇതിൽ അടങ്ങിയിരിക്കുന്നു.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
850nm Si പിൻ മൊഡ്യൂളുകൾ

ഇത് 850nm Si PIN ഫോട്ടോഡയോഡ് മൊഡ്യൂൾ പ്രീ-ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ടോടുകൂടിയതാണ്, ഇത് ദുർബലമായ നിലവിലെ സിഗ്നലിനെ ആംപ്ലിഫൈ ചെയ്യാനും ഫോട്ടോൺ-ഫോട്ടോ ഇലക്ട്രിക്-സിഗ്നൽ ആംപ്ലിഫിക്കേഷന്റെ പരിവർത്തന പ്രക്രിയ കൈവരിക്കുന്നതിന് വോൾട്ടേജ് സിഗ്നലിലേക്ക് പരിവർത്തനം ചെയ്യാനും സഹായിക്കുന്നു.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
900nm Si പിൻ ഫോട്ടോഡയോഡ്

റിവേഴ്സ് ബയസിന് കീഴിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്ന Si PIN ഫോട്ടോഡയോഡാണ് ഇത് UV മുതൽ NIR വരെ ഉയർന്ന സംവേദനക്ഷമത നൽകുന്നു.ഏറ്റവും ഉയർന്ന പ്രതികരണ തരംഗദൈർഘ്യം 930nm ആണ്.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
1064nm Si പിൻ ഫോട്ടോഡയോഡ്

റിവേഴ്സ് ബയസിന് കീഴിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്ന Si PIN ഫോട്ടോഡയോഡാണ് ഇത് UV മുതൽ NIR വരെ ഉയർന്ന സംവേദനക്ഷമത നൽകുന്നു.ഏറ്റവും ഉയർന്ന പ്രതികരണ തരംഗദൈർഘ്യം 980nm ആണ്.പ്രതികരണശേഷി: 1064 nm-ൽ 0.3A/W.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
ഫൈബർ എസ്ഐ പിൻ മൊഡ്യൂളുകൾ

ഒപ്റ്റിക്കൽ ഫൈബർ ഇൻപുട്ട് ചെയ്യുന്നതിലൂടെ ഒപ്റ്റിക്കൽ സിഗ്നലിനെ നിലവിലെ സിഗ്നലായി മാറ്റുന്നു.ഫോട്ടോൺ-ഫോട്ടോഇലക്‌ട്രിക്-സിഗ്നൽ ആംപ്ലിഫിക്കേഷന്റെ പരിവർത്തന പ്രക്രിയ കൈവരിക്കുന്നതിന് ദുർബലമായ കറന്റ് സിഗ്നലിനെ ആംപ്ലിഫൈ ചെയ്യാനും വോൾട്ടേജ് സിഗ്നലിലേക്ക് പരിവർത്തനം ചെയ്യാനും പ്രാപ്തമാക്കുന്ന പ്രീ-ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ട് ഉള്ളതാണ് Si പിൻ മൊഡ്യൂൾ.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
നാല് ക്വാഡ്രന്റ് Si പിൻ

റിവേഴ്‌സിന് കീഴിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്ന Si PIN ഫോട്ടോഡയോഡിന്റെ നാല് സമാന യൂണിറ്റുകൾ ഇതിൽ അടങ്ങിയിരിക്കുന്നു, UV മുതൽ NIR വരെ ഉയർന്ന സംവേദനക്ഷമത നൽകുന്നു.ഏറ്റവും ഉയർന്ന പ്രതികരണ തരംഗദൈർഘ്യം 980nm ആണ്.പ്രതികരണശേഷി: 1064 nm-ൽ 0.5 A/W.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
നാല് ക്വാഡ്രന്റ് Si പിൻ മൊഡ്യൂളുകൾ

ഫോട്ടോൺ-ഫോട്ടോഇലക്‌ട്രിക്-സിഗ്നൽ ആംപ്ലിഫിക്കേഷന്റെ പരിവർത്തന പ്രക്രിയ കൈവരിക്കുന്നതിന് ദുർബലമായ കറന്റ് സിഗ്‌നൽ വർദ്ധിപ്പിക്കാനും വോൾട്ടേജ് സിഗ്നലായി പരിവർത്തനം ചെയ്യാനും പ്രാപ്തമാക്കുന്ന പ്രീ-ആംപ്ലിഫിക്കേഷൻ സർക്യൂട്ട് ഉള്ള Si PIN ഫോട്ടോഡയോഡിന്റെ സിംഗിൾഡ് അല്ലെങ്കിൽ ഡബിൾഡ് നാല് യൂണിറ്റുകൾ ഇതിൽ അടങ്ങിയിരിക്കുന്നു.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
UV മെച്ചപ്പെടുത്തിയ Si പിൻ

ഇത് മെച്ചപ്പെടുത്തിയ UV ഉള്ള Si PIN ഫോട്ടോഡയോഡാണ്, ഇത് റിവേഴ്‌സിന് കീഴിൽ പ്രവർത്തിക്കുകയും UV മുതൽ NIR വരെയുള്ള ഉയർന്ന സംവേദനക്ഷമത നൽകുകയും ചെയ്യുന്നു.ഏറ്റവും ഉയർന്ന പ്രതികരണ തരംഗദൈർഘ്യം 800nm ആണ്.പ്രതികരണശേഷി: 340 nm-ൽ 0.15 A/W.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
1064nm YAG ലേസർ -15mJ-5

1064nm തരംഗദൈർഘ്യം, ≥15mJ പീക്ക് പവർ, 1~5hz (അഡ്ജസ്റ്റബിൾ) പൾസ് ആവർത്തന നിരക്ക്, ≤8mrad വ്യതിചലന ആംഗിൾ എന്നിവയുള്ള ഇത് ഒരു നിഷ്ക്രിയ Q-സ്വിച്ച്ഡ് Nd: YAG ലേസർ ആണ്.കൂടാതെ, ഇത് ചെറുതും ഭാരം കുറഞ്ഞതുമായ ഒരു ലേസർ ആണ്, കൂടാതെ ഉയർന്ന ഊർജ്ജ ഉൽപ്പാദനം കൈവരിക്കാൻ കഴിയും, ഇത് വോളിയത്തിനും ഭാരത്തിനും കർശനമായ ആവശ്യകതകളുള്ള ചില സാഹചര്യങ്ങൾക്ക് അനുയോജ്യമായ ദൂരത്തിന്റെ പ്രകാശ സ്രോതസ്സാണ്, വ്യക്തിഗത പോരാട്ടം, UAV ചില സാഹചര്യങ്ങളിൽ ബാധകമാണ്.

അന്വേഷണം വിശദാംശം
1064nm YAG ലേസർ-15mJ-20

ഇത് 1064nm തരംഗദൈർഘ്യവും ≥15mJ പീക്ക് പവറും ≤8mrad ഡൈവേർജൻസ് ആംഗിളും ഉള്ള ഒരു നിഷ്ക്രിയ Q-സ്വിച്ച് Nd：YAG ലേസർ ആണ്.കൂടാതെ, ഉയർന്ന ആവൃത്തിയിൽ (20Hz) ദീർഘദൂര ദൂരത്തിന് അനുയോജ്യമായ പ്രകാശ സ്രോതസ്സായ ചെറുതും നേരിയതുമായ ലേസർ ആണ് ഇത്.

അന്വേഷണം വിശദാംശം